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独立同轴屏蔽结构：采用 4 路完全独立的同轴传输通道，每路均包含中心导体、绝缘介质与外屏蔽层，实现信号间零串扰与外部电磁干扰高隔离度，特别适合微弱信号与高频信号同步传输。
气密封装工艺：采用陶瓷 - 金属钎焊（ハーメチックシール） 技术，将同轴组件与法兰基座实现原子级密封，确保真空侧与大气侧绝对隔离，符合超高真空密封标准。
标准化接口配置：
大气侧：可选配 BNC、SHV、MHV、N 型、SMA 等标准同轴连接器，适配通用测试仪器与传输线缆
真空侧：采用可焊接光杆或定制端子，便于真空腔体内布线与设备连接
安装法兰：兼容 ICF（ADVANTEC 标准超高真空法兰）、NW（KF）、ISO 等主流真空法兰规格，适配不同真空系统
额定电流与电压：
标准型（如 BNC/SMA 接口）：每路额定电流3A，额定耐电压1KV DC
高压型（如 5KV-BNC/SHV 接口）：每路额定电流3-10A，额定耐电压5-6KV DC
阻抗匹配：标准配置为50Ω，适配射频与微波信号传输需求
信号传输特性：
频率响应：覆盖 DC 至 GHz 级，适配直流、低频控制信号与射频信号传输
插入损耗：在工作频率范围内保持低损耗特性，确保信号完整性
屏蔽效能：外导体与法兰良好接地，屏蔽效能≥90dB，有效抑制电磁干扰
绝缘性能：
绝缘电阻：≥10¹²Ω（常温），确保信号传输无泄漏
爬电距离：通过绝缘介质结构优化，满足高压工况下的绝缘要求
极限真空适配：支持1×10⁻¹⁰Pa（1×10⁻¹²Torr） 超高真空环境，适配分子束外延、真空镀膜等尖端真空工艺
漏气率：≤1×10⁻¹⁰Pa·m³/s，达到超高真空密封等级，确保真空系统长期稳定运行
温度适应范围：
常规工作温度：-200℃~+450℃，适配真空腔体烘烤与低温实验工况
焊接耐受温度：支持真空腔体焊接安装，焊接温度可达800℃（短时）
法兰规格兼容性：
ICF 系列：ICF34、ICF70、ICF114、ICF152、ICF203、ICF253 等全规格适配
NW 系列：NW10、NW16、NW25、NW40、NW50 等通用真空法兰
定制适配：支持 VGVF、ISO 等特殊法兰及非标准尺寸定制
安装方式：
法兰螺栓固定：标准真空法兰密封，配备金属密封圈（铜或不锈钢）
焊接安装：支持氩弧冷焊或激光焊接，适配特殊真空腔体结构
多单元组合：可在同一法兰上安装多个 4PIN 同轴馈通，实现高密度信号传输
机械强度：
中心导体抗弯强度：≥5N，耐受真空腔体内布线与设备连接时的轻微机械应力
连接器插拔寿命：≥500 次，满足频繁连接测试需求
核心材料配置：
中心导体：铜合金（CU） 或不锈钢（SUS），铜合金具备更低的接触电阻（≤3mΩ），不锈钢适合耐腐蚀工况
绝缘介质：氧化铝陶瓷（Al₂O₃），具备高绝缘强度、耐高温与耐化学腐蚀特性，适配恶劣真空环境
法兰基座：SUS304/SUS316L 不锈钢，具备优良的耐腐蚀性与真空兼容性，可选铝合金轻量化设计
密封圈：无氧铜（OFHC） 或金属石墨复合密封圈，适配超高真空与高温烘烤工况
表面处理：
中心导体：镀金处理，降低接触电阻，提高抗氧化能力
法兰表面：电解抛光或钝化处理，减少气体吸附，提升真空系统抽气效率
典型应用领域：
半导体制造：等离子体刻蚀、物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）设备的电极供电与信号控制
真空科研：粒子加速器、核聚变装置、真空光谱仪的信号传输与测量
电子元器件：真空溅射、电子束蒸发设备的多路电源与控制信号导入
核心适配优势：
多路独立传输：4 路同轴通道可同时传输不同类型信号（如 2 路控制信号 + 2 路射频信号），提高系统集成度
信号完整性保障：同轴结构有效抑制信号衰减与畸变，特别适合高精度测量与控制场景
长期稳定性：陶瓷 - 金属密封结构确保在高温、高压、高真空环境下长期稳定运行，维护周期长
定制化能力：支持接口类型、法兰规格、端子长度等全维度定制，适配特殊真空设备需求